论文成果

返回中文主页

Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte

发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
论文名称:
Low-Voltage, Flexible IGZO Transistors Gated by PSSNa Electrolyte
发表刊物:
IEEE Electron Device Letters
第一作者:
杜路路
全部作者:
王卿璞,辛倩,宋爱民,徐明升
论文类型:
基础研究
论文编号:
E30636329F7F4201AB68DFD2CE8AC89E
卷号:
39
期号:
9
页面范围:
1334
是否译文:
发表时间:
2018-09
发布时间:
2019-04-14