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High performance Schottky diodes based on indium-gallium-zinc-oxide
发布时间：2019-10-22
点击次数：
所属单位：
微电子学院
第一作者：
辛倩
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-199201
卷号：
34
页面范围：
04C101
是否译文：
否
发表时间：
2016-04-08
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Analysis of carrier transport and band tail states in p-type tin monoxide thin-film transistors by temperature dependent characteristics
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Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
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