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High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2019-10-22
点击次数：
所属单位：
微电子学院
第一作者：
辛倩
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-199200
卷号：
13
期号：
7-9
页面范围：
618
是否译文：
否
发表时间：
2016-06-03
上一条：
Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz
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Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
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