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Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes
发布时间:2019-10-22
点击次数:
所属单位:
微电子学院
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-199202
卷号:
107
页面范围:
093505
是否译文:
否
发表时间:
2015-10-21
上一条:
Study of breakdown voltage of indium-gallium-zinc-oxide-based Schottky diode
下一条:
Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz