所属单位：

集成电路学院

论文名称：

High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs

发表刊物：

IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者：

马鹏飞

全部作者：

辛倩,李玉香,宋爱民,王一鸣

论文编号：

30A3D463D46B446FAF932289DEB289FE

卷号：

66

期号：

6

页面范围：

2600

字数：

4

是否译文：

否

发表时间：

2019-06

发布时间：

2019-10-24