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Low voltage operation of IGZO thin film transistors enabled by ultrathin Al2O3 gate dielectric

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied physics letters
全部作者:
王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民
第一作者:
马鹏飞
论文类型:
应用研究
论文编号:
CC8950350E17457388301840E2318F53
卷号:
112
期号:
2
是否译文:
发表时间:
2018-01-08