教师个人主页
登录
首页
返回
English
教师个人主页
登录
首页
返回
English
论文成果
返回中文主页
Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz
发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Nature Communications
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-199153
卷号:
6
页面范围:
7561
是否译文:
否
发表时间:
2015-07-03
上一条:
Low-frequency noise properties in Pt-indium gallium zinc oxide Schottky diodes
下一条:
High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature