High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
发布时间：2019-10-25
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Physica Status Solidi C
- 全部作者：
- 辛倩
- 第一作者：
- 辛倩
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-199200
- 卷号：
- 13
- 期号：
- 7-9
- 页面范围：
- 618
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2016-06-03