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Study of breakdown voltage of indium-gallium-zinc-oxide-based Schottky diode

发布时间:2019-10-25
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied Physics Letters
全部作者:
辛倩
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-199203
卷号:
106
页面范围:
113506
是否译文:
发表时间:
2015-03-02