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Ambipolar SnO<inf>x</inf>thin-film transistors achieved at high sputtering power

发布时间:2021-06-02
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied Physics Letters
第一作者:
李云鹏
论文类型:
基础研究
论文编号:
2018zxsei682
卷号:
27
期号:
18
是否译文:
发表时间:
2018-12-30