Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
发布时间：2022-01-18
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Charge-trapping memory based on tri-layer alumina gate stack and InGaZnO channel
- 发表刊物：
- SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
- 第一作者：
- 马鹏飞
- 论文编号：
- 419298800B7E4787B96E7EF0679BE71C
- 卷号：
- 35
- 期号：
- 5
- 字数：
- 5000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2020-05
- 发布时间：
- 2022-01-18