Effects of gate roughness on low voltage InGaZnO thin-film transistors with ultra-thin anodized AlxOy dielectrics
发布时间：2023-05-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Semiconductor Science and Technology
- 第一作者：
- 林晓昱
- 论文编号：
- D140F3F28B5E40BDBCD2400A9D2DFD08
- 期号：
- 38
- 页面范围：
- 35023
- 字数：
- 3500
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2023-02-17