Post-annealing effect of low temperature atomic layer deposited Al2O3 on the top gate IGZO TFT
发布时间:2024-05-22
点击次数:
- 所属单位:
- 集成电路学院
- 发表刊物:
- NANOTECHNOLOGY
- 第一作者:
- 郑帅英
- 论文编号:
- DFB94002A24C4981A267B49A56B9EC7A
- 卷号:
- 35
- 期号:
- 0
- 页面范围:
- 155203
- 字数:
- 7
- 是否译文:
- 否
- 发表时间:
- 2024-04-08