Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
发布时间：2019-10-24 点击数：
所属单位：集成电路学院
论文名称：Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：刘雅璇
全部作者：贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民
论文编号：66B4D67ADAA14F45A7151DDCA11B3602
卷号：39
期号：11
页面范围：1696
字数：4
是否译文：否
发表时间：2018-10