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Ultrawide-bandgap semiconductor AlN crystals: growth and applications

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：journal of materials chemistry C

第一作者：俞瑞仙

论文类型：实验发展

论文编号：39F589C0CE154A2880802170F0260230

期号：9

页面范围：1852

是否译文：否

发表时间：2021-01-06

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徐明升 (教授)