Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：CrystEngComm
第一作者：刘磊
论文编号：E88578C2C177453189CF279BD1BF982A
期号：23
页面范围：7245
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2021-09-03
发表时间：2021-09-03