Nucleation growth mechanism of diamond on 4H-SiC substrate by microwave plasma chemical vapor deposition
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS
第一作者：王希玮
论文编号：32143576C2254570B520E462205E4DBE
期号：31
字数：6
是否译文：否
发表时间：2022-04-15
发表时间：2022-04-15