Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode
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所属单位：新一代半导体材料研究院
发表刊物：Results in Physics
第一作者：Wang, Xinyu
论文编号：36B4649A237D476EA6CEB102D291C92E
期号：62 (2024) 107799
页面范围：1
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2024-07-01
发表时间：2024-07-01