一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202210196597.6
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2022-03-02
公开日期：2024-05-28
授权日期：2024-05-28
公开日期：2024-05-28
申请日期：2022-03-02
授权日期：2024-05-28
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士后)
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：新一代半导体材料研究院/集成电路学院
入职时间：2017-07-03
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：中心校区
联系方式：0531-88369697
电子邮箱：201799000033@sdu.edu.cn
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202210196597.6
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2022-03-02
公开日期：2024-05-28
授权日期：2024-05-28
公开日期：2024-05-28
申请日期：2022-03-02
授权日期：2024-05-28