科研项目
4英寸低位错密度半绝缘GaN单晶生长研究
发布时间：2024-10-25 | 点击次数：
所属单位：新一代半导体材料研究院
负责人姓名：张雷
项目来源单位：2024年国家基金项目
项目性质：纵向
项目级别：国家级
项目编号：23EF1D9E190D390FE063BE07C2CADD38
项目批准号：52472010
立项时间：2024-08-23
计划完成时间：2028-12-31
结项日期：2028-12-31
开始日期：2025-01-01

徐庆君

应用研究员

性别：男

所在单位： 新一代半导体材料研究院

入职时间： 2020-11-01

所属院系： 新一代半导体材料集成攻关大平台

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