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. Multi-wavelength emission from InGaN/GaN MQWs truncated pyramid grown on GaN dodecagonal pyramids template. CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 2024.
. Fabrication and repair of GaN nanorods by plasma etching with self-assembled nickel nanomasks. EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 2024.
徐庆君. Mg-acceptor activation mechanism and transport characteristics in highly Mg-doped AlGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy,. Chinese Physics B, 2024.
Li, Zhen-Hua. Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN with low growth rates and their properties. Chinese Physics B, 31, 2024.
Zhang, Shiying. A systematic study of silicon nanowires array fabricated through metal-assisted chemical etching. EPJ Applied Physics, 92, 2024.
刘磊. Nucleation mechanism of GaN crystal growth on porous GaN/sapphire substrates. CRYSTENGCOMM, 24, 1840, 2022.
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(包干项目)4 英寸高质量氮化镓晶体生长研究, 2025-01-01-2027-12-31
4英寸低位错密度半绝缘GaN单晶生长研究, 2024-08-23-2028-12-31
基于氮化镓/等离激元异质超构界面的热电子光电性质研究, 2021-10-12-2025-12-31
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徐庆君
应用研究员
性别:男
所在单位: 新一代半导体材料研究院
入职时间: 2020-11-01
所属院系: 新一代半导体材料集成攻关大平台
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