杨家跃

个人信息Personal Information

教授 博士生导师

性别:男

毕业院校:哈尔滨工业大学

学历:研究生(博士)毕业

学位:博士

在职信息:在职

所在单位:前沿交叉科学青岛研究院、能源与动力工程学院

入职时间:2018-11-15

学科:工程热物理

办公地点:山东省青岛市即墨区滨海路72号会文南楼A403

联系方式:邮箱:jy_yang@sdu.edu.cn


扫描关注

论文成果

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Degradation Evaluation and Defects Analysis for 1.2-kV Planar-Gate SiC MOSFETs Under Repetitive Surge Current Stress

点击次数:

所属单位:能源与动力工程学院

发表刊物:IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者:马德志

论文编号:1726496218095108098

字数:4

是否译文:

发表时间:2023-10-17