所属单位：晶体材料研究院
论文名称：Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment
发表刊物：CrystEng Comm
第一作者：欧阳俊
论文类型：基础研究
论文编号：C8AAD6E1796B4EB4B2D502DEF34AFBEF
卷号：23
期号：2
页面范围：353
是否译文：否
发表时间：2021-01-14
闫鹏教授
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Revelation of the dislocations in the C-face of 4H-SiC substrates using a microwave plasma etching treatment
发布时间：2021-05-31|点击次数：