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颜世申
教授
所属院部:
物理学院
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论文成果
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Universal spin-dependent variable range hopping in wide-band-gap oxide ferromagnetic semiconductors
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Chin. Phys. B
全部作者:
陈延学,刘国磊,梅良模,颜世申
第一作者:
代由勇
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-107975
卷号:
19
期号:
3
页面范围:
037203-1
是否译文:
否
发表时间:
2010-09-01
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Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier
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Nitric Oxide Reaction Pathways on Rutile TiO2(110): The Influence of Surface Defects and Reconstructions
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