颜世申

教授

Enhanced tunnel magnetoresistance in fully epitaxial ZnO:Co-based magnetic tunnel junctions with Mg-doped ZnO barrier

• 所属单位：
  物理学院
• 发表刊物：
  Applied physics letters
• 全部作者：
  颜世申,陈延学,梅良模
• 第一作者：
  刘国磊
• 论文类型：
  基础研究
• 论文编号：
  lw-136067
• 卷号：
  100
• 期号：
  13
• 页面范围：
  132406-1
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2012-03-27