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颜世申
教授
所属院部:
物理学院
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论文成果
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Impact of interfacial effects on ferroelectric resistance switching of Au/BiFeO3/Nb:SrTiO3(100) Schottky junctions
所属单位:
物理学院
发表刊物:
RSC advances
全部作者:
刘国磊,康仕寿,颜世申,陈延学,梅良模
第一作者:
贺树敏
论文类型:
基础研究
论文编号:
0780B83E6F794EEFA0F11C22B90483E2
卷号:
7
期号:
37
页面范围:
22715
是否译文:
否
发表时间:
2017-06-01
上一条:
Unconventional band inversion and intrinsic quantum spin Hall effect in functionalized group-V binary films
下一条:
Rashba spin–orbit coupling enhanced anomalous Hall effect in MnxSi1 x/SiO2/Si p–i–n junctions
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