登录
|
山东大学
|
English
颜世申
教授
所属院部:
物理学院
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Unconventional band inversion and intrinsic quantum spin Hall effect in functionalized group-V binary films
所属单位:
物理学院
发表刊物:
scientific reports
全部作者:
胡树军,颜世申
第一作者:
李胜世
论文类型:
基础研究
论文编号:
0F7D336C97C54DFDB35E7387E728497F
卷号:
7
是否译文:
否
发表时间:
2017-07-21
上一条:
Visible-blind quasi-solid-state UV detector based on SnO2-TiO2 nanoheterostructure arrays
下一条:
Impact of interfacial effects on ferroelectric resistance switching of Au/BiFeO3/Nb:SrTiO3(100) Schottky junctions
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部