A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发表刊物：Applied Surface Science
第一作者：杨志远
全部作者：陈秀芳,程秀凤,赵显,于法鹏,王正平,杨志远
论文编号：52E6FC05C98647D482816D6BCC2F25D3
卷号：436
页面范围：511
是否译文：否
发表时间：2018-04