A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
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所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：Applied Surface Science
全部作者：杨志远,于法鹏,王正平,陈秀芳,程秀凤,赵显
第一作者：杨志远
论文编号：52E6FC05C98647D482816D6BCC2F25D3
卷号：436
页面范围：511
是否译文：否
发表时间：2018-04-01
发表时间：2018-04-01