A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：A new direct growth method of graphene on Si-face of 6H-SiC by synergy of the inner and external carbon sources
发表刊物：Applied Surface Science
第一作者：杨志远
全部作者：于法鹏,王正平,陈秀芳,程秀凤,赵显,杨志远
论文编号：2018zxsei1451
卷号：37
页面范围：511
是否译文：否
发表时间：2018-04