Induced growth of quasi-free-standing graphene on SiC substrates
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：RSC Advances
全部作者：于法鹏,赵显,李清波,孙丽,杨志远,李妍璐
第一作者：于法鹏
论文编号：87C4BAAC3DFA436D9FCD360E5504F498
字数：3
是否译文：否
发表时间：2019-09-27
发表时间：2019-09-27
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-12
联系方式：fapengyu@sdu.edu.cn
Induced growth of quasi-free-standing graphene on SiC substrates
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所属单位：晶体材料研究院
发表刊物：RSC Advances
全部作者：于法鹏,赵显,李清波,孙丽,杨志远,李妍璐
第一作者：于法鹏
论文编号：87C4BAAC3DFA436D9FCD360E5504F498
字数：3
是否译文：否
发表时间：2019-09-27
发表时间：2019-09-27