Induced growth of quasi-free-standing graphene on SiC substrates
发布时间：2020-03-06 点击数：
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
论文名称：Induced growth of quasi-free-standing graphene on SiC substrates
发表刊物：RSC advances
第一作者：于法鹏
全部作者：李清波,孙丽,杨志远,李妍璐,赵显,于法鹏
论文编号：87C4BAAC3DFA436D9FCD360E5504F498
字数：3
是否译文：否
发表时间：2019-09