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A Strategy To Prepare High-Quality Monocrystalline Graphene: Inducing Graphene Growth with Seeding Chemical Vapor Deposition and Its Mechanism

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所属单位：晶体材料研究院

发表刊物：ACS Applied Materials & Interfaces

第一作者：李妍璐

论文类型：基础研究

论文编号：30C0D22F63DB4CF596614121E63AC4D9

期号：12

是否译文：否

发表时间：2019-12-11

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于法鹏 (教授)