于法鹏 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2011-08-12

联系方式:fapengyu@sdu.edu.cn

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Charge-neutral epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) via FeSi intercalation

点击次数:

所属单位:晶体材料研究院

发表刊物:CARBON

第一作者:罗兴云

论文类型:基础研究

论文编号:44A23A90B1E74205929DD6B62663BF82

卷号:156

页面范围:187

是否译文:

发表时间:2019-09-23

发表时间:2019-09-23

上一条: Effect and Mechanism of Hydrogen-Assisted Sulfur Intercalation for Decoupling Graphene from Cu(111) Substrate: A First-Principles Study

下一条: Theoretical prediction of eliminating the buffer layer and achieving charge neutrality for epitaxial graphene on 6H-SiC(0001) via boron compound intercalations