一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法
发布时间：2022-09-15 点击数：
专利名称：一种调控腔体压强制备高质量单晶畴二维材料的方法
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
专利类型：发明
申请号：202111288448.4
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2021-11-02
公开日期：2022-08-30
授权日期：2022-08-30
于法鹏 (教授)
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2011-08-12
所属院系： 晶体材料研究院
访问量：
最后更新时间：..
最后更新时间：..