基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202110808614.2
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2021-07-16
公开日期：2022-09-02
授权日期：2022-09-02
公开日期：2022-09-02
申请日期：2021-07-16
授权日期：2022-09-02
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2011-08-12
联系方式：fapengyu@sdu.edu.cn
基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法
点击次数：
所属单位：晶体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202110808614.2
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2021-07-16
公开日期：2022-09-02
授权日期：2022-09-02
公开日期：2022-09-02
申请日期：2021-07-16
授权日期：2022-09-02