基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法
发布时间：2022-09-06 点击数：
专利名称：基于Cu2O介质层生长单层单晶石墨烯的方法
所属单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
专利类型：发明
申请号：202110808614.2
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2021-07-16
公开日期：2022-09-02
授权日期：2022-09-02
于法鹏 (教授)
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：2011-08-12
所属院系： 晶体材料研究院
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