于俊
研究员
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Impact of Density of States on the Characteristics of Channel-All-Around InGaZnO Field-Effect Transistors
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物：
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 第一作者：
    蔡坤林
  • 论文编号：
    64889230866F4871B21D399BDA5D2A22
  • 期号：
    1
  • 字数：
    4000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2025-02-02
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