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翟仲军
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工程师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
入职时间：1998-07-01
所属院系： 晶体材料研究院
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论文成果
[1] . All-Solution-Processed InGaO/PbI2 Heterojunction for Self-Powered Omnidirectional Near-Ultraviolet Photodetection and Imaging. Advanced Optical Materials, 2024.
[2] 郭非非. Novel Polarized Crystal BaTeW2O9: Crystal Growth, Characterization, and Wide-Band Polarized Prism. CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 22, 2587-2593, 2022.
[3] 郭非非. Novel Polarized Crystal BaTeW2O9: Crystal Growth, Characterization, and Wide-Band Polarized Prism. CRYSTAL GROWTH & DESIGN, 22, 2587, 2022.
[4] 李程程. Growth and Passive Q-Switching Application of Cr:TiTe3O8 Crystal. Crystals, 12, 2022.
[5] 程奎. Synthesis of polycrystalline CdSiP2 with Two-Temperature zone method. 晶体生长, 529, 2020.
[6] 张磊磊 , 翟仲军 , 刘阳 and 陶绪堂. Exploring Anisotropy on Oriented Wafers of MAPbBr3 Crystals Grown by Controlled Antisolvent Diffusion. Cryst. Growth Design., 18, 6652, 2018.
[7] 程奎 , 张国栋 , 翟仲军 and 陶绪堂. Synthesis of Polycrystalline CdSiP2 with Two-Temperature Zone Method. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH Journal, 2019.
共 7 条 1/1
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