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张健
教授
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
论文成果
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Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
Journal of crystal growth
全部作者:
张健,张百涛,贾志泰,何京良,陶绪堂
第一作者:
尹延如
论文类型:
应用研究
论文编号:
854307BCEA6C46D18D063BEFD71BEFD8
卷号:
478
页面范围:
28
是否译文:
否
发表时间:
2017-11-15
上一条:
Crystal growth and optimization of Pr:CaGdAlO4 by the flux-Czochralski method
下一条:
Highly efficient actively Q-switched Yb:LGGG laser generating 3.26 mJ of pulse energy
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