登录
|
山东大学
|
English
张健
教授
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
An ab initio investigation of phosphorene/hexagonal boron nitride heterostructures with defects for high performance photovoltaic applications
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
Applied surface science
全部作者:
张百涛,张健,陶绪堂
第一作者:
王慈
论文类型:
基础研究
论文编号:
980CA7C4C467421D82713D2E876369F3
卷号:
423
页面范围:
1003
是否译文:
否
发表时间:
2017-11-30
上一条:
One-step exfoliation of ultra-smooth beta-Ga2O3 wafers from bulk crystal for photodetectors
下一条:
导模法生长高质量氧化镓单晶的研究
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部