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张健
教授
所属院部:
晶体材料研究院
访问次数:
次
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Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application
发布时间:2019-10-24
所属单位:
晶体材料研究院
论文名称:
Development of longer Nd:LGGG crystal for high power laser application
发表刊物:
Journal of crystal growth
第一作者:
尹延如
全部作者:
张健,张百涛,贾志泰,何京良,陶绪堂,尹延如
论文类型:
应用研究
论文编号:
854307BCEA6C46D18D063BEFD71BEFD8
卷号:
478
页面范围:
28
是否译文:
否
发表时间:
2017-11
发布时间:
2019-10-24
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An ab initio investigation of phosphorene/hexagonal boron nitride heterostructures with defects for high performance photovoltaic applications
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One-step exfoliation of ultra-smooth beta-Ga2O3 wafers from bulk crystal for photodetectors
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