张健

教授

A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism

• 所属单位：
  晶体材料研究院
• 发表刊物：
  Journal of Semiconductors
• 全部作者：
  贾志泰,穆文祥,尹延如,张健,陶绪堂
• 第一作者：
  付博
• 论文类型：
  应用研究
• 论文编号：
  8731C0AB390E416686F784839D156A8B
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2019-04-01