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张健
教授
所属院部:
晶体材料研究院
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Solid-liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap beta-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
发布时间:2019-10-25
所属单位:
晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
论文名称:
Solid-liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap beta-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
发表刊物:
CrystalEngComm
第一作者:
穆文祥
全部作者:
贾志泰,尹延如,张健,陶绪堂,穆文祥
论文编号:
FA30694287704C27997DCD4A8477FA10
卷号:
21
期号:
17
页面范围:
2762
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2019-05
发布时间:
2019-10-25
上一条:
Crystal growth, thermal and optical properties of TSLAG magneto-optical crystals
下一条:
A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism
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