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  • 张福生 ( 副研究员 ) 赞

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  •   副研究员
专利 当前位置： 中文主页 >> 科学研究 >> 专利
一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法

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所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202111524463.4
发明人数：6
是否职务专利：否
申请日期：2021-12-14
公开日期：2023-06-13
授权日期：2023-06-13

 

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