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张福生
( 副研究员 )
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个人主页 https://faculty.sdu.edu.cn/zhangfusheng1/zh_CN/index.htm
副研究员
性别：
男
所在单位：
新一代半导体材料研究院
入职时间：
2021-09-18
所属院系：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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张福生. Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects. Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS), 2021.
张福生. High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000-1) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching. Materials Letters, 2021.
张福生. High Performance Metal-Graphene-Metal Photodetector Employing Epitaxial Graphene on SiC(0001) Surface. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2021.
张福生. Large-area Uniform Epitaxial Graphene on SiC by Optimizing Temperature Field. Wide Bandgap Semiconductors China (SSLChina: IFWS), 2021.
张福生. 无微管缺陷六英寸SiC 单晶的制备. 硅酸盐学报, 2021.
张福生. Ge 掺杂碳化硅晶体的生长缺陷. 《无机材料学报》, 2021.
专利
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一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
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