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个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：晶体材料研究院
入职时间：2016-01-29
学科：材料学
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一种卤化亚汞单晶体的生长装置及方法
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所属单位：晶体材料研究所
申请专利人：陶绪堂,张国栋
专利类型：发明
申请号：2018106011050
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2018-06-12