张国栋

个人信息Personal Information

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院

入职时间:2016-01-29

学科:材料学

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专利

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一种卤化亚汞单晶体的生长装置

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所属单位:晶体材料研究所

申请专利人:张国栋,陶绪堂

专利类型:实用新型

申请号:2018209068164

发明人数:2

是否职务专利:

申请日期:2018-06-12