张国栋
个人信息Personal Information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别:男
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2016-01-29
学科:材料学
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一种卤化亚汞单晶体的生长装置
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所属单位:晶体材料研究所
申请专利人:张国栋,陶绪堂
专利类型:实用新型
申请号:2018209068164
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2018-06-12