Project Name:2英寸高质量AlN单晶生长及其器 件应用研究
Status:在研
Project Number:JCYJ20210324141607019
Subsidy Amount:60.0
Date of Project Completion:2024-10-31
Date of Project Initiation:2021-10-01
Release Time:2023-07-28
zhanglei
张雷，长聘研究员, 博士生导师，山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。 主要从事氮化物（氮化镓、氮化铝）宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人（PI）。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延（HVPE）GaN单晶生长装备和物理气相沉积法（PVT）AlN单晶生长装备，系统研究了GaN、AlN晶体的生长机理，围绕应力及开裂、衬底分离难题，提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案，... More+
Research Projects
2英寸高质量AlN单晶生长及其器 件应用研究
Release Time:2023-07-28| Hits:
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- 镓系宽禁半导体制备技术研究
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- 不同衬底上生长的GaN晶体的应力和位错之间关系的研究