Title:一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法
Institution:晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
Type of Patent:Invent
Application Number:202010412061.4
Number of Inventors:1
Service Invention or Not:No
Publication Date:2021-07-20
Authorization Date:2021-07-20
Release Time:2021-10-09
zhanglei
张雷，长聘研究员, 博士生导师，山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。 主要从事氮化物（氮化镓、氮化铝）宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人（PI）。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延（HVPE）GaN单晶生长装备和物理气相沉积法（PVT）AlN单晶生长装备，系统研究了GaN、AlN晶体的生长机理，围绕应力及开裂、衬底分离难题，提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案，... More+
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一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法
Release Time:2021-10-09| Hits:
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