Title:一种用于GaN单晶生长衬底的处 理方法及处理装置
Application Number:202011504974.5
Service Invention or Not:No
Application Date:2020-12-18
Publication Date:2021-04-27
Release Time:2023-07-28
zhanglei
张雷，长聘研究员, 博士生导师，山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。 主要从事氮化物（氮化镓、氮化铝）宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人（PI）。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延（HVPE）GaN单晶生长装备和物理气相沉积法（PVT）AlN单晶生长装备，系统研究了GaN、AlN晶体的生长机理，围绕应力及开裂、衬底分离难题，提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案，... More+
Patents
一种用于GaN单晶生长衬底的处 理方法及处理装置
Release Time:2023-07-28| Hits:
- Prev One:
- 一种蓝 宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法