张雷，长聘研究员, 博士生导师，山东省泰山学者青年专家。2016-2018年期间在德国亥姆霍兹于利希研究中心从事访问学者研究。
主要从事氮化物（氮化镓、氮化铝）宽禁带半导体晶体材料的生长及性能研究工作。目前担任氮化物半导体晶体研究方向负责人（PI）。研制了具有自主知识产权的氢化物气相外延（HVPE）GaN单晶生长装备和物理气相沉积法（PVT）AlN单晶生长装备，系统研究了GaN、AlN晶体的生长机理，围绕应力及开裂、衬底分离难题，提出了二维位错阻断层、多孔衬底技术等解决方案，攻克了大尺寸GaN、AlN晶体生长关键技术，晶体质量步入国际先进行列。主持和参加了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金、德国亥姆霍兹国家实验室资助、山东省重点研发计划等10余项国家及省部级项目。在Adv. Mater., Adv. Sci., J. Mater. Chem. A, Cryst. Growth Des.等期刊发表SCI论文70余篇，发表的文章被Nature Materials期刊作为研究亮点（Research Highlights）进行了报道。获授权发明专利20余项，其中4项实现了成果转化。2016年获中国建筑材料科学技术基础研究类二等奖。目前担任国际期刊《Scientific Reports》编委和《Materials》期刊客座编辑。
