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张雷
正高级教师
所属院部:
晶体材料研究院
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科研项目
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GaN晶体的应力、缺陷和能带结构之间关系的研究
所属单位:
晶体材料研究所
负责人姓名:
张雷
项目来源单位:
国家基金委
项目性质:
纵向
项目级别:
国家级
项目参与人员:
张雷,孔丽
项目编号:
kyxm-69428
立项时间:
2018-08-16
计划完成时间:
2022-12-31
结项日期:
2022-12-31
开始日期:
2019-01-01
项目批准号:
51872164
上一条:
不同衬底上生长的GaN晶体的应力和位错之间关系的研究
下一条:
HVPE方法在6H-SiC衬底上生长GaN晶体的应力与表面生长动力学关系研究
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